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      半導(dǎo)體靶材淺析

      日期:2021-11-19 來(lái)源:原創(chuàng) 瀏覽次數(shù):833
      在當(dāng)今及以后的半導(dǎo)體制造流程當(dāng)中,濺射靶材無(wú)疑是重中之重的原材料,其質(zhì)量和純度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)質(zhì)量起著關(guān)鍵性作用。
      靶材,特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)工藝,是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。
      所謂濺射,是制備薄膜材料的主要技術(shù),也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設(shè)備中用離子對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行轟擊,使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出,從而在晶圓表面沉積,濺鍍形成金屬薄膜,其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。
      相比PVD的另一種工藝——真空鍍膜,濺射鍍膜工藝可重復(fù)性好、膜厚可控制,可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜,所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)。

      靶材有多種分類方法,如按化學(xué)成份分類,按形狀分類,以及按應(yīng)用領(lǐng)域分類。本文內(nèi)容主要是按應(yīng)用領(lǐng)域分類展開(kāi)的。
      靶材應(yīng)用要求
      對(duì)靶材用量較大的行業(yè)主要有半導(dǎo)體集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)、光學(xué)器件等(這些就是按應(yīng)用分類的)。其中,高純度濺射靶材主要用于對(duì)材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)等。
      本文主要討論靶材在半導(dǎo)體當(dāng)中的應(yīng)用情況。
      在所有應(yīng)用中,半導(dǎo)體對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求和純度最 高,價(jià)格也最為昂貴,這方面的要求明顯高于平面顯示器、太陽(yáng)能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn),若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高,形成的薄膜就無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能,且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒,導(dǎo)致電路短路或損壞,將嚴(yán)重影響薄膜的性能。
      芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求最 高,通常要達(dá)到99.9995%以上,而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到 99.999%、99.995%以上即可。
      除了純度之外,芯片對(duì)濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn),需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù),并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。
      超高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分,濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié),其中,靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

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